非接觸紅外少子壽命WCT120測試儀

公司生產的一款專業用于測量硅片等半導體材料少子壽命的測試儀器，?廣泛應用于太陽能電池制造、半導體材料質量評估及工藝監控領域?。其核心功能是通過準穩態光電導（QSSPC）和瞬態光電導技術，精確測量少數載流子的平均生存時間，從而反映材料的缺陷水平和器件性能潛力。??

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更新時間：2025-12-13
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少子壽命是半導體中少數載流子的平均生存時間，指非平衡少數載流子濃度減少到初始值的1/e所需的時間。該參數直接反映半導體材料質量和器件性能，在N型半導體中空穴為少子，P型半導體中電子為少子，其濃度主要由本征激發決定。少子壽命受復合機理影響，包括直接復合、間接復合、表面復合和Auger復合等。間接躍遷半導體（如硅、鍺）的壽命由雜質和缺陷決定，直接躍遷半導體（如砷化鎵）壽命普遍較短。通過控制復合中心濃度可調節少子壽命：去除雜質缺陷可延長壽命，摻入金、鉑或電子輻照可縮短壽命。測試方法包括準穩態光電導（QSSPC）和瞬態模式，前者適用于低壽命樣品，后者用于高壽命樣品。少子壽命測試范圍覆蓋100納秒至10毫秒，應用領域涵蓋材料質量評估、器件分析及工藝監控，尤其在太陽能電池生產中用于優化光電轉換效率。碳化硅材料中少子壽命與晶體缺陷濃度相關，通過摻雜可調節其壽命以提升功率器件性能。主要用于光伏、半導體行業，測試硅片、電池片等產品，